| 晶棒规格 | | | | 导电类型 | 生长方式 | 掺杂物 | 电阻率
(Ω．cm) | 氧含量
(atoms/cm3) | 碳含量
(atoms/cm3) | | P | CZ | 硼 | 0.5~3, 3~6 | ≦1X1018 | ≦5X1016 | | N | CZ | 磷 | 0.5~3, 0.6~3.5 | ≦0.95X1018 | ≦5X1016 | | 导电类型 | 位错密度
(Etch Pit Density) (/cm2) | 少子寿命
(μs) | 单晶晶向
(Degree) | 直径
(mm) | 晶棒长度
(mm) | | P | ≦3000 | ≧15 | <100>±3 | 100.0~200.0 | 100~1300 | | N | ≦3000 | ≧100 | <100>±3 | 100.0~200.0 | 100~1300 |
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