制备方法 DSS
导电类型 P 型
掺杂剂 硼
电阻率范围 1~3Ω·cm
少数载流子寿命 ≥2us
氧含量 ≤20ppm
碳含量 ≤1ppm
硅片尺寸 156×156±0.5mm
倒角角度 45°± 0.5°
倒角宽度 0.5~2mm
厚度 200±20μm
总厚度变化 ≤30μm
线痕 ≤15μm
翘曲度 ≤30μm
崩边 无
微裂纹 无
外观 清洁,无污,无指纹,无凹坑,无孔洞
多晶硅片
详细信息 制备方法 DSS 导电类型 P 型 掺杂剂 硼 电阻率范围 1~3Ω·cm 少数载流子寿命 ≥2us 氧含量 ≤20ppm 碳含量 ≤1ppm 硅片尺寸 156×156±0.5mm 倒角角度 45°± 0.5° 倒角宽度 0.5~2mm 厚度 200±20μm 总厚度变化 ≤30μm 线痕 ≤15μm 翘曲度 ≤30μm 崩边 无 微裂纹 无 外观 清洁,无污,无指纹,无凹坑,无孔洞 |
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