生产方法 线锯切割 导电类型 P /N型
型号掺杂 P/N型掺硼、镓/磷 晶向偏差 ＜100＞±1°
位错 无 电阻率 1~3Ω.cm，3~6Ω.cm
直径 200±0.5mm 边宽 156±0.5mm
片厚 200±20μm等 TTV ≤20μm
翘曲度 ≤40μm 线痕 ≤15μm
氧含量 ≤1.0×1018 atom/cm3 体少子寿命 ≥15μs
碳含量 ≤5.0×1016 atom/cm3 外观 无隐裂、无沾污等
8英寸单晶硅片
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8英寸单晶硅片
详细信息 生产方法 线锯切割 导电类型 P /N型 型号掺杂 P/N型掺硼、镓/磷 晶向偏差 ＜100＞±1° 位错 无 电阻率 1~3Ω.cm，3~6Ω.cm 直径 200±0.5mm 边宽 156±0.5mm 片厚 200±20μm等 TTV ≤20μm 翘曲度 ≤40μm 线痕 ≤15μm 氧含量 ≤1.0×1018 atom/cm3 体少子寿命 ≥15μs 碳含量 ≤5.0×1016 atom/cm3 外观 无隐裂、无沾污等 |
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