| 检测项目 | A级 | B级 | ||
| 表面状态 | 1.已清洗,切割表面未腐蚀,无油污,无清洗剂残余;2.硅片表面无明显手感刀痕,凹坑现象. | 1.已清洗,切割表面未腐蚀,无油污,无清洗剂残余3.硅片表面无明显手感刀痕,凹坑现象. | ||
| 缺陷 | 无裂痕,裂纹,孔洞V | 无裂痕,裂纹,孔洞V | ||
| 边沿状态 | 无崩边,硅落,边缘 | 1.缺口长度＜1MM深度＜0.5MM崩边缺口在整片中小于2个. 2.沿硅片径向长度小于1MM,宽度小于1MM,不超过硅片厚度1/2的崩边,在整片中不允许超过3个. | ||
| 晶向 | ＜100＞+2。 | ＜100＞+2。 | ||
| 位错密度 | ≦3000/CM2 | ≦3000/CM2 | ||
| 线痕 | ＜15um | 15um~30um | ||
| 导电类型 | P型 | P型 | ||
| 电阻率 | 1-3ohm*cm | 1-3ohm*cm | ||
| 电阻率不均均性 | ＜15% （中心点与四个角上距离两边10MM的四个点） | ＜15% | ||
| 裸片少子寿命 | ≧1.3us | ≧1.3us | ||
| 氧含量 | ＜1X1018atoms/cm3 | ＜1X1018atoms/cm3 | ||
| 碳含量 | ＜5X1016atoms/cm3 | ＜5X1016atoms/cm3 | ||
| 掺杂剂 | B | B | ||
| 厚度 | 180+20um | 180+20um | ||
| 单片厚度变化 TTV | ＜单片厚度的15% <30um | ＜单片厚度的15%~20% <30um | ||
| 翘曲度 | ＜30um | ＜50um | ||
| 硅片边长尺寸 | 156+0.5MM*78+0.5MM | 156+0.5MM*78+1MM | ||
156硅片(156)
