其主要的技术指标如下:
1)上轴行程:≥2500 mm
2)下轴行程:≥2000 mm
3)拉晶速度:0 ~ 30 ±1% mm/min
4)上下轴快速移动速度:≥300 mm/min
5)单晶直径:6~8英寸(153mm~205mm)
6)工艺氩气流量控制:0-50 ml/min
7)炉压:≥3.0×105Pa
8)真空度:≤1.0Pa
9)漏气速率(正负压状态):≤5.0Pa/h
区熔硅单晶炉(FZ100A-ZJS)
详细信息 其主要的技术指标如下: 1)上轴行程:≥2500 mm 2)下轴行程:≥2000 mm 3)拉晶速度:0 ~ 30 ±1% mm/min 4)上下轴快速移动速度:≥300 mm/min 5)单晶直径:6~8英寸(153mm~205mm) 6)工艺氩气流量控制:0-50 ml/min 7)炉压:≥3.0×105Pa 8)真空度:≤1.0Pa 9)漏气速率(正负压状态):≤5.0Pa/h |
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