品牌: | SCNE |
型号: | SC-1455-4 |
类型: | 薄膜 |
转换效率: | 12 % |
输出功率: | 10 W |
品质等级: | A级 |
外形尺寸: | 13.3*54.8*1.1 mm |
重量: | 0.002 kg |
工作电压: | 1.5 V |
工作电流: | 16 A |
开路电压: | 2 V |
开路电流: | 18.5 A |
产品认证: | CCC |
主要用途: | 小电子产品供电 |
1455-4-4外形尺寸:54.8*13.5*1.1,工作电压:1.5V,开路电压:2.0。
基于晶体硅(单晶硅和多晶硅)的太阳能电池由于发展历史较早且技术比较成熟,在装机容量一直占据***地位。尽管技术进步和市场扩大使其成本不断下降,但由于材料和工艺的限制,晶体硅太阳能电池进一步降低成本的空间相当有限,很难达到光伏科学家和能源专家在上世纪80年代初预测的光伏发电与柴油发电竞争的临界点——太阳能电池的成本1美元/瓦。因此***代太阳能电池很难承担太阳能光伏发电大比例进入人类能源结构并成为基础能源的组成部分的历史使命,非晶硅太阳能电池益发得到世界各国的重视。非晶硅电池一般采用PECVD(Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition——等离子增强型化学气相沉积)方法使高纯硅烷等气体分解沉积而成的。此种制作工艺,可以在生产中连续在多个真空沉积室完成,以实现大批量生产。由于沉积分解温度低,可在玻璃、不锈钢板、陶瓷板、柔性塑料片上沉积薄膜,易于大面积化生产,成本较低。在玻璃衬底上制备的非晶硅基太阳能电池的结构为:Glass/TCO/p-a-SiC:H/i-a-Si:H/n-a-Si:H/Al,在不锈钢衬底上制备的非晶硅基太阳能电池的结构为:SS/ZnO/n-a-Si:H/i-a-Si(Ge):H/p-na-Si:H/ITO/Al。