产品介绍
光伏电站中的电位诱发衰减(PID)效应可能会导致组件功率的严重衰减。F•RST® F406P&F806PEVA旨在从封装材料角度改善组件PID问题。F406P&F806PEVA胶膜优异的抗PID性能可帮助组件通过85℃，RH85%，-1000Vdc，96h的PID测试。同时，F406P&F806PEVA胶膜兼具优异的长期耐候性能和高透光率。
抗PID特性(85℃ 85%RH,-1000Vdc)
玻璃+F406PEVA+晶硅电池片+F806PEVA+BEC301背板
初始(251.2W) PID96h(250.6W)
性能参数
| 性能 | 测试方法 | 单位 | F406P | F806P | |
| 常规克重 | FST方法 | g/m2 | 430±20 | 390±20 | |
| 表观厚度 | FST方法 | mm | 0.55±0.05 | 0.50±0.05 | |
| 常规长度 | FST方法 | m/roll | 150 | 150 | |
| 宽幅 | FST方法 | mm | 客户定制0/+7 | 客户定制0/+7 | |
| 密度 | ASTMD792 | g/cm3 | 0.95-0.96 | 0.95-0.96 | |
| 熔融范围 | FST方法 | ℃ | 40-80 | 40-80 | |
| 收缩率(120℃,3min) | GB/T29848 | MD% | <3.0 | <3.0 | |
| TD% | <1.5 | <1.5 | |||
| 紫外截止波长 | FST方法 | nm | -- | 360 | |
| 光透过率 | 1100nm-380nm | GB/T29848 | % | >91 | >91 |
| 380nm-290nm | % | >80 | <30 | ||
| 交联程度 | GB/T29848 | Gel% | >75 | >75 | |
| 体积电阻率 | GB/T29848 | Ω·cm | >1.0×1015 | >1.0×1015 | |
| 与玻璃粘结强度 | GB/T29848 | N/cm | >60 | >60 | |
| 对TPT背板粘结强度 | GB/T29848 | N/cm | >40 | >40 | |
注：产品克重、厚度、长度、宽幅均可客户定制。
