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背抛光刻蚀清洗设备图1

背抛光刻蚀清洗设备

2022-11-28 13:598450询价
价格:电议

技术优势:

1.可观的电池效率提升,根据不同的工艺基础,可提升0.2%-0.3%。

2.集扩散后抛光和湿法刻蚀与一体(专利技术),无需额外设备投入,无需增加工序。

3.无需使用NaOH, HNO3 H2SO4,更环保、更低的化学品耗用成本。

4.实现硅片浸入溶液传输并抛光(专利技术),无需“水上漂”或“滚轮带液”,无刻蚀线,工艺稳定,容易控制。

5.解决了反应气泡不易散发的难题,抛光效果更好,碎片率更低。

6.专用抛光液,背面抛光效果更好,容易控制,产量大,成本低,废水低污染,易处理,节约废水处理成本。

7.背抛光技术与SE,背面钝化(AL2O3),背接触技术,两次印刷,MWT等主流技术可叠加,兼容性好,提升背面技术革新空间。

8.技术便于实现系统集成或模块化,方便客户选择整机或改造。

9.国内***个完全拥有自主知识产权、新型提效解决方案。

 项目 数据

 功能 去PSG+背抛光+刻蚀

 适用对象 多晶/单晶硅片 156mm*156mm±0.5mm(thickness0.2mm)

  125mm*125mm±0.5mm(thickness0.2mm)

 产能 传输轨道 5

  125mm*125mm ***大产能 3600cells/h

  156mm*156mm ***大产能 3000cells/h

  碎片率 ≦0.05%

 传输速度 速度范围 1.0~2.5m/min

  操作速度 1.8m/min

  传动高度 960±30mm

  主要材质 PVDF, NaturePP, PEEK, PVC

  滚轮间距 50mm

  滚轮材质 PP

 工程条件 电力供应 65KW,3相交流电380V,50Hz

  纯水 2.5±0.5kgf/cm2

  压缩空气/氮气 5±0.5kgf/cm2

 制程控制 PLC控制

 操作界面 全图形化中文彩色人机界面

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