多晶硅片

制备方法           DSS

导电类型         P 型

掺杂剂              硼

电阻率范围                1~3Ω·cm

少数载流子寿命              ≥2us 

氧含量            ≤20ppm

碳含量               ≤1ppm 

硅片尺寸          156×156±0.5mm 

倒角角度               45°± 0.5°

倒角宽度          0.5~2mm

厚度             200±20μm 

总厚度变化                 ≤30μm 

线痕                    ≤15μm 

翘曲度      ≤30μm 

崩边                   无

微裂纹          无

外观         清洁,无污,无指纹,无凹坑,无孔洞