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单晶硅片图1

单晶硅片

2022-11-28 14:097090询价
价格:电议

规格(尺寸)(mm)     125±0.5

少子寿命(us)      钝化后≧10,且大于30的比例超过70%

导电类型          P型  

位错密度(个/cm3)     ≤3000

掺杂          硼(Boron)

碳含量(atoms/cm2)  ≤5×1016

晶向          100±5°

氧含量(atoms/cm2)  ≤1×1018

电阻率范围(欧母·厘米)  1_3

表观        表面洁净,无水痕,油污,手印等污物,无明显划痕

边长(mm)      1250.5

线痕(um)      ≦15

对角(mm)       150±0.5

翘曲(um)      ≦50

厚度(um)      200±20

崩边缺角等     单个崩边长≦0.5(mm),深≦0.3(mm),每片崩边不超过3 个,无缺角,无裂纹,无穿孔

TTV(um) ≤30    其他未明事宜参照行业标准

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