[促销] 156单晶太阳能硅片(156)

项目

标准

导电类型

P

掺杂剂

硼

边长

156±0.5mm

厚度

156±0.5mm

形状

方形

电阻率

0.5-3Ω.cm

少子寿命

≥1μs

氧含量

≤1×1018atoms/cm³

碳含量

≤5×1016atoms/cm³

翘曲度

≤200μm

总厚度差异

≤40μm

位错密度

≤40μm

线痕

≤40μm

崩边

宽度≤0.4mm，延伸≤0.8mm，每片总数量≤2个，间隔≥30mm

表面质量

表面清洁；无裂纹，明显刀痕，凹坑，缺口，孔洞

项目

标准

生长方式

CZ

导电类型

P

掺杂剂

硼

晶向

〈100〉±1.0°

边长

156±0.5mm

直径

200±0.5mm

厚度

200±20μm

形状

准方形

电阻率

1-3Ω.cm

少子寿命

≥10μs

氧含量

≤1×1018atoms/cm³

碳含量

≤5×1016atoms/cm³

翘曲度

≤75μm

总厚度差异

≤40μm

位错密度

≤1000个/cm³

线痕

深度≤10μm

崩边

宽度≤0.4mm，延伸≤0.8mm，每片总数量≤2个，间隔≥30mm

表面质量

表面清洁；无裂纹，明显刀痕，凹坑，缺口，孔洞