◆ 用途
BN303系列紫外负型光刻胶是一类采用宽谱紫外线曝光的阴图型光致抗蚀剂，主要用于中小规模集成电路、分立器件及其它微型器件的制作。
◆ 产品特点
Ø 涂布性能：在多种基片上均有良好的粘附性
Ø 感光性能：对宽谱紫外线(高压汞灯)敏感
Ø 分辨率：实用分辨率可达5μm
Ø 抗蚀性能：抗湿法腐蚀性能良好
◆ 产品规格
(30℃),mPa.s | 膜厚（μm） (转速:4000转/分) | (％) | (ppm) | ||
BN303-30 | 29.0±1.5 | 0.85～0.95 | ≥60 | ≤1 | ≤0.02 |
BN303-45 | 42.0±2.0 | 0.95~1.15 | ≥60 | ≤1 | ≤0.02 |
BN303-60 | 60.0±2.0 | 1.05～1.15 | ≥65 | ≤1 | ≤0.02 |
BN303-60H | 60.0±2.0 | 1.3-1.5 | ≥65 | ≤1 | ≤0.02 |
BN303-100 | 100.0±10.0 | 2.0～2.3 | ≥75 | ≤1 | ≤0.02 |
BN-303-100TS | 100.0±10.0 | 1.9~2.1 | ≥75 | ≤1 | ≤0.02 |
◆ 参考使用工艺
Ø 涂胶：旋转涂布，温度20℃～25℃，湿度60%以下
Ø 前烘：对流烘箱，80℃，20min
Ø 曝光：高压汞灯曝光，曝光量15-35 mj/cm2
Ø 显影：BN负胶显影剂，室温浸入显影1～2min
Ø 漂洗：BN负胶漂洗剂, 室温浸入漂洗1min
Ø 坚膜：对流烘箱，130～140℃，30min
Ø 湿法腐蚀：依用户工艺而定
Ø 去胶：BN负胶去膜剂，90~110℃，10~20min
