6.5英寸单晶硅片

生产方法 线锯切割 导电类型 P /N型

型号掺杂 P/N型掺硼、镓/磷 晶向偏差 ＜100＞±1°

位错 无 电阻率 1~3Ω.cm

直径 165±0.5mm 边宽 125±0.5mm

片厚 200±20μm等 TTV ≤20μm

翘曲度 ≤40μm 线痕 ≤15μm

氧含量 ≤1.0×1018 atom/cm3 体少子寿命 ≥10μs

碳含量 ≤5.0×1016 atom/cm3 外观 无隐裂、无沾污等