硅片

类型 P

掺杂剂 Boron

规格 125*125 ± 0.5mm, 156*156 ± 0.5mm

厚度 200 ± 20 µ m

电阻率 1~3 Ω .cm 3~6 Ω .cm

少子寿命 ≥ 10 µ s

晶向 <100> ± 3°

切割方式 Multiple wire cut

TTV ≤ 20 µ m

垂直度 90° ± 0.5°

位错密度 ≤3000cm-2

氧含量 ≤1.0*1018 cm-3

碳含量 ≤5.0*1016 cm-3