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 产品特点 | ||||
| ■ 可测量太阳能级多晶硅块、单晶硅棒少数载流子体寿命。表面无需抛光，直接对切割面或研磨面进行测量。 ■ 可测量太阳能级单晶及多晶硅片少数载流子的相对寿命，表面无需抛光、钝化。 ■ 液晶屏上直接显示少子寿命值，同时显示动态光电导衰退波形。 | ||||
| 技术参数 | ||||
| 配置两种波长的红外光源 ■ 1.07μm波长红外光源，光穿透硅晶体深度较深≥500μm，有利于准确测量晶体少数载流子体寿命。 ■ 0.904～0.905μm波长红外脉冲激光器，光穿透硅晶体深度较浅≈30μm，但光强较强，有利于测量低阻太阳能级硅晶体。 测量范围 ■ 研磨或切割面：电阻率≥0.5Ω·㎝的单晶硅棒、定向结晶多晶硅块少子体寿命，切割片的少子相对寿命。 ■ 抛光面：电阻率在0.1～0.01Ω·㎝范围内的硅单晶、锗单晶抛光片。 寿命可测范围 ■ 分体式： 2μS—10ms ■ 一体式： 0.5μS—20ms | ||||
其他
