一、设备概况
晶体类型：多晶硅
掺杂物：为满足一定的电阻率要求，加入硼与硅材料混合后实现目标电阻率。
二、技术参数
电学特性
电阻率：0.8Ω.cm～3.0Ω.cm（平均1.5Ω.cm）
少数载流子寿命：>2 µs
导电类型：P型
化学特性
碳含量：<2×1018 cm-3
氧含量：<4×1017 cm-3
尺寸
硅片尺寸：156 mm×156 mm±0.5 mm
125 mm×125 mm±0.5 mm
硅片厚度：200 µm±30 µm
偏差：≤50 µm
弓形：≤60 µm
线痕：≤20 µm
边缘缺陷：无
其他
硅片表面：切面完整清洁。
污染物：无污垢，油污、皂液、粘合剂的残留物、指纹等
