◆ 概述
KMP C5315系列紫外正性光刻胶具有高感光度、高产出率、高分辨率及良好的工艺宽容度。专为G线、I线曝光优化,可广泛应用于半导体IC制造领域。
◆ 产品规格Viscosity(粘度) | mPa.s | 14.0±1.0 |
Trace metals(痕量金属离子) | ppb | Ca、Cr、Fe≤30; Cu、Ni、K、Na、Pb、Zn≤20 |
Particles(颗粒,≥0.3μm) | cts/ml | ≤20 |
Water(水分) | % | ≤0.5 |
Prime(预处理) | HMDS,100℃,40s |
Soft Bake(前烘) | 90℃,60s |
Exposure(曝光) | I-line,G-line |
Post Exposure Bake(中烘) | 115℃,60s |
Develop(显影) | 23℃,60s,Puddle |
Hard Bake(后烘) | 110℃,60s |