太阳能级硅单晶片
型号 P N
掺杂 硼 磷
尺寸 125*125±0.5mm 156*156±0.5mm
厚度 180±20 200±20 or220±20 or 240±20μm
电阻率 0.5~3Ω.cm 3~6Ω.cm
少子寿命 >10μs(20)
晶向 <100>±3°
切割方式 多线切割
总厚度变化 <30μm
垂直度 90°±0.5°
位错密度 ≤3000 at/ cm2
氧含量 ≤1.0*1018at/ cm3
碳含量 ≤5.0*1016 at/ cm3
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更新日期2022-11-28 14:12
品牌： |
未填 |
所在地： |
江苏 南京市 |
起订： |
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供货总量： |
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有效期至： |
长期有效 |
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