单晶硅片

制备方式         CZ

导电类型           P 型

掺杂剂           硼

晶向              <100>

晶向偏离度             ＜±2° 

电阻率范围        1~3Ω·cm

少数载流子寿命             ≥8us 

氧含量           ≤ 20ppm 

碳含量           ≤ 1ppm 

硅片尺寸           125×125±0.5mm;156×156±0.5mm 

硅片直径             150±0.5mm;200±0.5mm 

倒角宽度            (150;165)  29.76±1.0mm;12.23±1.0mm 

厚度            200±20μm 

总厚度变化             ≤30μm 

线痕           ≤15μm 

翘曲度         ≤30μm 

崩边                  无

外观          清洁,无污,无指纹,无凹坑,无孔洞