多晶硅片

规格(尺寸)(mm)        156±0.5

少子寿命(us)           多晶≥2μs

导电类型                P型  

位错密度(个/cm3)       ≤3000

掺杂                     硼（Boron）

碳含量(atoms/cm2)   ≤4.0X1016

晶向                   90±0.3°

氧含量(atoms/cm2)   ≤1.0X1017

电阻率范围 (欧母·厘米) 1--3

表观              可视裂纹,表面清洁无黑斑、污渍,无等

边长(mm)        156±0.5

线痕(um)        ≦15

对角(mm)        219.2±0.5

翘曲(um)        ≦75

厚度(um)        200±20

其他未明事宜参照行业标准