半导体全自动晶体生长炉(YCZ6000)

坩埚驱动单位

提升速度 0-10 in / hr(0-254mm/hr)

***大行程 11.5“( 292 mm)

转 速 0-20 rpm(std option)***大可达30rpm

籽晶驱动单位

提升速度 0-20 in / hr(0-508mm/hr)

转 速 0-50 rpm

厂务要求

电源电压 380±10%

频 率 50HZ

加热功率 165KW

环境温度 5~40

相对湿度 ＜70%

入口端***高水温 25℃

***小流量 190L/min

入口出口压力差 ＞2.7kg/cm2

主氩气流量 140 slpm

吹扫流量 100 slpm

合 计 240 slpm

推荐压力 ＞4.5 kg/cm2

压缩空气

推荐压力 ＞5.5 kg/cm2

控制系统

全自动生长控制过程

标准PLC/PC控制

选 项

多晶硅进料系统

真空泵

真空过滤系统

取晶车

坩埚装卸系统

外形尺寸

生长空间要求 5,533mm

总高度 5,173mm

宽 2,200mm

深 2,730mm