品名 | 单晶娃片 |
导电类型 | P型 |
硅片正方尺寸(mm) | 125x125±0.5 |
硅片对角线(mm) | 150±0.5;165±0.5 |
硅片厚度(中心值)(μm) | 180±20;200±20 |
总厚度变化(μm) | ≤30 |
电阻率范围(Ωcm) | 0.8-3.0;3.0-6.0 |
掺杂元素 | 硼 |
碳含量(原子/立方厘米) | ≤2.5×1017 |
氧含量(原子/立方厘米) | ≤1x1018 |
少数载流子寿命(μs) | ≥10 |
表面质量 | 无裂纹、缺口、缺角、穿孔、亮点 |
翘曲度(warp/μm) | ≤50 |
邻变垂直度 | 90°±0.5 ° |
崩边(mm) | 弦长<1.0;深度<0.5;每片不多于2个 |
线痕(μm) | ≤15 |